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如同MOS管分为耗尽型和增强型两种，氮化镓开关管同样分成耗尽型和增强型两种。通俗来讲，增强型MOS管，在栅极没有驱动电压的时候，MOS管处于关断状态，耗尽型在没有栅极驱动电压时就开始导通，需要负压才能关断。
增强型的氮化镓器件为E-MODE，耗尽型的氮化镓器件为D-MODE，通过将低压硅MOS与D-MODE氮化镓组合起来，D-MODE耗尽型氮化镓既具有E-MODE增强型氮化镓的常关性能，还具有简化的栅极驱动。
相比主流E-MODE增强型氮化镓6V的驱动电压，D-MODE耗尽型氮化镓器件可以支持高达15V的驱动电压，从而可以兼容传统硅MOS的驱动电路和控制器，简化驱动电路设计，降低氮化镓的应用门槛，提升电源产品的转换效率。
宁波铼微半导体有限公司于2019年6月成立，从事氮化镓（GaN）等第三代半导体器件的开发、生产与应用。公司为IDM模式，包含外延生长、器件设计和器件制备整套流程。已建成厂房总面积为6000m²，其中净化间共1800m²。
公司研发团队实力雄厚，目前有包含国家级专家1名、省级专家1名等具有硕士和博士学位的研发人员15名。铼微半导体可实现 6 英寸GaN芯片的自主设计和自主生产。
充电头网获悉，铼微半导体推出了两款耐压650V的D-MODE耗尽型氮化镓开关管，采用TO220封装和DFN5*6封装，满足不同场合的产品需求。
铼微NPTC6502001是一款TO220封装的氮化镓开关管，耐压650V，导阻250mΩ，支持10A连续电流，20A脉冲电流，适用于高速DC-DC转换，开关电源应用以及电池快充应用等。
铼微NPTC6502002是一款DFN5*6封装的氮化镓开关管，耐压650V，导阻250mΩ，支持10A连续电流以及20A脉冲电流，适用于高速DC-DC转换，开关电源应用以及电池快充应用等。
铼微氮化镓器件已经用于65W氮化镓快充应用，相比传统硅器件具有明显的效率优势。
充电头网总结
D-MODE耗尽型氮化镓器件的推出，相比E-MODE增强型氮化镓来说，栅极耐压高，可以支持更宽泛的栅极驱动电压，栅极耐过压能力也更强。耗尽型氮化镓能够使用为硅MOS而设计的控制器，更容易实现大功率应用设计。
铼微推出的两款耗尽型氮化镓器件，采用大功率电源中常见的TO220封装与快充电源中常用的DFN5*6封装，能很好的适配不同应用，在不同的产品上发挥氮化镓性能优势。
