芯塔电子SiC MOSFET 助力中国新能源产业发展

硅作为第一代半导体材料，长久以来一直是功率电子学中优选半导体材料。近年来，以碳化硅为代表的第三代半导体蓬勃发展。相对于硅材料器件，碳化硅以其高压、高频、高温、高速的优良特性，能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，降低成本造价，增强可靠性和适用性，提高电能转换效率，降低损耗。

目前碳化硅在电动汽车、逆变器、轨道交通、太阳能和风力发电上广泛应用。随着USB PD快充技术的普及和氮化镓技术的成熟，大功率快充电源市场逐渐兴起，碳化硅二极管也开始在消费类电源市场中崭露头角，被部分100W大功率氮化镓快充产品选用。

SiC产业目前处于快速发展期，新能源汽车及光伏等领域对SiC MOSFET需求旺盛。然而，SiC MOSFET因技术难度高、研发周期长、研发投入大、人才要求高等因素，国内总体水平还相对比较薄弱，具备研发和量产能力的企业更是凤毛麟角。

而作为国内领先的第三代半导体功率器件和应用解决方案提供商，TOPE芯塔电子最近推出的SiC MOSFET产品系列，为高电压应用场景提供了全新的国产解决方案。

面对外界风险挑战，芯塔电子坚持本土创新，加大研发投入，攻坚关键核心技术，面向三代半新赛道加快构建核心技术优势。芯塔电子依靠十多年的技术积累，通过和合作单位共同研发栅介质的核心工艺技术，研究栅氧的物理机理，改进了MOS栅的可靠性和沟道迁移率，使得具有自主的知识产权的SiC MOSFET器件具有更小的导通电阻，性能达到国际先进水平。

上图为TOPE芯塔电子1200V SiC MOSFET输出特性曲线，从图中可以看到在不同栅极驱动电压的情况下，源漏极之间电压和电流的关系，而在不同的条件下，芯塔1200V SiC MOSFET的输出表现良好。

上图是Vac为25mV，频率为1MHz时的芯塔电子1200V SiC MOSFET电容曲线。从图中可以看到输入电容和源漏极之间电压的变化关系。

在SiC MOSFET高频开关应用双脉冲测试方面，将芯塔与国际一线品牌的1200V SiC MOSFET产品进行对比，上图中的黄线为栅极电压，红线为源漏极电压，蓝色为源漏极电流。

通过高频开关应用对比可以看出，芯塔电子的1200V SiC MOSFET产品与国际一线品牌产品测试表现接近，性能满足客户需求，可实现国产替代。

TOPE芯塔电子此次推出的SiC MOSFET产品线目前共有六款产品，可应用于新能源汽车、工业变频、充电桩、光伏逆变器、储能、UPS等领域。产品基于自主开发的XM 2.0技术平台，具有精细结构设计、低比导通电阻和低优植因子等技术优势。

芯塔电子的SiC MOSFET产品系列采用TO-247-3或TO-247-4封装，漏源电压有1700V、1200V、650V三种电压等级，阈值电压为2-4V，可根据不同应用场景满足客户的多样化需求。

芯塔电子是SiC功率器件国产化的先行者，SiC MOSFET从产品设计、制造、封装等各环节均在国内完成，该系列产品加快了中国SiC MOSFET器件的国产化进程（包括自主的IP、材料、设计、工艺等），彰显了我司科技创新的核心竞争力。

芯塔电子SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已经给国内的重要客户进行了送样和销售，包括军工、新能源汽车、充电桩等领域，同时也已获得众多客户的咨询和明确需求，预计今年营收会有爆发性增长。

依靠十多年的技术积累和专注的技术研发，芯塔电子已形成比较完整的功率器件产品体系，包括6英寸SiC肖特基二极管芯片，650V-1200V 40多种规格的第五代SiC肖特基二极管器件，SiC MOSFET器件和模块。

芯塔电子目前已积累上百家客户资源，并进入了行业标杆客户。在资本方面，芯塔电子已获得了政府的有力支持和头部资源的投资，将助推公司更加快速地发展。芯塔电子将加快创新驱动，携手国内第三代半导体产业链共同助力中国新能源产业发展。