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2022年7月12日，科技潮牌真我 realme 举行新品发布会，正式推出了真我 GT2 大师探索版，新机传承大师系列设计理念和探索精神，带来全新的硬箱传奇设计。
真我 GT2 大师探索版搭载新一代骁龙8+旗舰芯片，搭配真我首发的 LPDDR5X 闪存芯片和新一代 X7 独显芯片，带来设计、性能、游戏、体验等全方位的升级，堪称“年度质感旗舰”。
三大巅峰探索 打造年度质感旗舰
据 realme 副总裁徐起介绍，真我 GT2 大师探索版与国际著名潮流设计师 Jae Jung，首次跨界合作，将当代户外美学概念融入产品设计，精心打磨出 realme 年度质感旗舰，打造颜值巅峰。
真我 GT2 大师探索版搭载新一代骁龙8+旗舰芯片，同时真我首发 LPDDR5X 超低功耗内存，综合功耗优化20%，加上双VC冰芯散热Max，探索性能巅峰。
同时，真我 GT2 大师探索版全球首发新一代X7独显芯片，支持独显级游戏超分功能、最高120帧的多倍插帧技术，时延降低至最低10ms，带来高帧率、高画质、低时延、低功耗的超流畅游戏体验。
全球首发 全链路GaN百瓦闪充真我 GT2 大师探索版是行业首个轻薄的百瓦大电池手机，在8.17mm极致轻薄的机身下配置100W光速秒充和5000毫安大电池，使得快充、轻薄和长续航三者兼备，25分钟时间即可充电至100%，彻底缓解续航焦虑。
据 realme 副总裁徐起介绍，“真我 GT2 大师探索版是全球首个内置 GaN 充电保护的手机，创新性地将氮化镓引入手机端，大大节省手机内部空间，降低发热峰值，实现了体积降低64%，峰值功率器件发热降低85%。保证手机在充电过程中更高效，更安全。”
据悉，realme 此次在手机端引入的氮化镓为英诺赛科的 Bi-GaN 产品，其原理在于利用一颗 Bi-GaN 就能替代之前的共漏连接的背靠背两颗 NMOS，实现电池的充电和放电电流的双向开关，使相同占板面积下的导通电阻降低50%，温升降低40%，提高手机内部空间利用率。
此前，realme 副总裁徐起也在微博的先导宣传中称，在闪充技术的推进上，realme 不介意再"卷"一点！
充电头网总结此次发布的真我 GT2 大师探索版，通过采用英诺赛科 Bi-GaN技术，进一步压缩手机内部充电元器件空间，提升充电效率，降低充电过程中的发热情况，实现全链路GaN百瓦秒充。在全球提倡节能环保、助力“双碳”的今天，氮化镓已经在快充、手机充电保护、激光雷达等领域相继应用，相信凭借其高频高效、高功率密度的优越特性，势必在更多领域领跑市场，值得期待！
#英诺赛科#英诺赛科氮化镓
