数字隔离技术为GaNFast大功率应用保驾护航

氮化镓（GaN）功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码: NVTS）近期宣布收购VDD Tech，后者是用于下一代功率转换的先进数字隔离器的创造者。

先进的数字隔离技术对于在消费类、电机驱动、太阳能、数据中心和电动汽车等大功率市场中实现尺寸、重量和系统成本的改进至关重要。VDD Tech的专有调制技术可在兆赫兹以上的开关速度下实现稳定、可靠、高效的电源转换。

专有的 dV/dt 感测、消隐和刷新技术实现了前所未有的超高压隔离能力与最高工作频率的结合，要求 dV/dt 抗扰度比传统硅高 5-10 倍。低隔离电容 (<0.5pF) 和创新、稳健的调制为隔离驱动器控制和模拟感应反馈提供低抖动数字通信。在所有温度和工作条件下，独特地地保证最低 200 V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。

VDD Tech 由 Vincent Dessard 在比利时的 Mont-Saint-Guibert 创立，很快吸引了Aimad Saib 的加入，两人均拥有博士学位，具备15年以上的模拟/混合模式芯片研发经验。Dessard 和 Saib 将在纳微半导体的高级研发团队中担任领导职务，带领纳微在功率半导体领域的研发持续增速。

Vincent Dessard 指出：“我们很高兴能看到两种突破性技术——优化的数字隔离器和 GaN 功率芯片的结合，带来领先的高功率解决方案。高速和高可靠性是加速宽禁带隙半导体替换传统硅芯片，并获予采用的关键因素。我们非常振奋能成为这场千载难逢的技术革命的催化剂，并将于2023年推出新的高功率产品。”

纳微半导体首席执行官兼联合创始人 Gene Sheridan 指出：“VDD Tech 的隔离技术是我们不断增长的电源和控制集成战略的关键部分，创造了每年 10亿美元的额外市场机会。我们将继续研究和评估可以增强纳微核心优势的新技术，并在我们践行‘Electrify our World’使命的同时，带来显著的二氧化碳减排效益。”

氮化镓是新一代半导体技术，开关速度相比传统的硅器件快20倍，具有更低的栅极电荷和输出电荷，可以有效降低开关损耗，并提高转换效率。在特定的应用中可以节能40%左右，对于实现碳中和目标很有帮助。氮化镓目前应用在快充中，将快充的功率密度提高3倍，还能降低充电器的成本，并降低待机功耗。

纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）成立于2014年，是氮化镓功率芯片的行业领导者。GaNFast功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制和保护集成在一起，为移动设备、消费电子、企业、电动汽车和新能源市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。纳微半导体拥有超过150项已经颁发或正在申请中的专利。

目前，超过5000万颗纳微GaNFast氮化镓功率芯片已经发货，终端市场故障率为零。纳微半导体拥有行业首个和唯一的氮化镓功率芯片20年质保承诺，也是首家获得CarbonNeutral碳中和企业认证的半导体公司。每出货一颗GaNFast功率芯片可减少4公斤二氧化碳排放。2021年10月20日，纳微半导体敲响了纳斯达克的开市钟，并开始在纳斯达克交易。