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GaN 是第三代半导体材料的杰出代表，其在高频、大功率半导体芯片领域应用市场巨大；GaN基电子器件是电力电子和微波射频器件的“核芯”，是全球战略竞争新的制高点。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，
由于材料上的优势，GaN功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷(意味着更优秀的传导和开关性能)。因此GaN功率器件更适合于高频应用场合，对提升变换器的效率和功率密度非常有利。
時科GaN新品登场時科作为全球知名的半导体分立元器件厂商，为满足市场需求，推出新品GaN整合IC SKGI8020、SKGI8120，为65W PD快充提供更佳的解决方案。
時科GaN整合IC采用三合一芯片，整合控制器、驱动器、HEMT；支持二次侧控制；支持最小化PCB、减少搭配问题，实现最佳性价比。
時科GaN整合IC采用贴片式的 QFN 8X8 包装，使 Lead Frame 裸露。上件后使裸露的 Exposed Pad 与电路板贴合，达到散热的目的。芯片提高1~5倍高压开关切换频率，兼顾EMI与减少切换损失。
時科合封氮化镓芯片整合被动元件置系统，降低零件成本费用。通过将驱动级、控制器、HEMT整合，可以更方便应用，使效能最佳化，并且能最小化快充适配器体积，外部元件可减少15%，PCB面积可小30%。
SKGI8020時科 SKGI8020 是一款具有整合高压 GaN 晶体管的AC/DC控制器方案，可实现高效能运行。该方案提供高效能、低成本反激电源，可以将70W升压至100W。
時科 SKGI8020 实现了启动控制器和脉冲隔离接口，以达到完成启动一次侧或二次侧。使用二次侧可以改善瞬态响应以及管理负载接口。
SKGI8120時科 SKGI8020 和 SKGI8120 均针对使用基于隔离器的反馈的传统反激式架构开发。可以在 100~500kHz 范围内工作，以在使用传统系统架构的同时优化变压器尺寸和功率密度。相比 SKGI8020，時科 SKGI8120 采用 QFN4x4 封装，使用外部 HEMT。
時科 SKGI8020 和 SKGI8120 均集成启动调节器，支持坡底切换操作以实现高效率，具有待机功耗低、较少的 BOM 数量、方案成本低等优点，可应用在手机、平板、笔记本充电器、USB-C 电源适配器等消费电子产品中。
充电头网总结氮化镓以开关速度快，导阻低，低输入输出电荷的优势，应用在快充上逐渐取代了传统的高压硅MOS管。使用氮化镓取代硅MOS管，不仅降低了开关损耗，提高充电器的转换效率，使得充电器无需设计大面积的散热片；而且大幅提升了功率器件开关频率，减小变压器电感量，缩小变压器尺寸，进而减小充电器的体积。
而通过将氮化镓与控制器封装在一起，可以有效降低走线寄生电感对氮化镓工作的影响，充分发挥氮化镓的性能优势。時科此次推出的合封氮化镓产品，既精简了电源设计，也大大降低了PCB占板面积，满足快充充电器易生产、高性价比的追求。
#時科
