JESTEK江智科技中低压MOSFET批量出货

发布时间：2022-12-21 17:57:13来源：搜狐

前言

近年来，消费类电源市场增速迅猛，一方面是 USB PD 快充实现了大规模普及，大功率以及高电压输出对 MOS 器件的耐压、内阻等各维度性能提出了更高的要求。另一方面，随着锂电储能应用的兴起，市场对于锂电保护 MOS、接口保护 MOS 等的需求也更为强烈。

南京江智科技有限公司（JESTEK）是一家专注于半导体功率器件设计生产与销售的企业。拥有一支从业经验15年以上的设计研发团队，在南京红枫工业园拥有完整的封装测试工厂。

江智科技以功率器件为核心，掌握8英寸先进器件设计工艺，持续关注器件电性能提高以及产品的可靠性提高，江智科技通过 ISO9001，ISO14001 体系认证，与国际一流的芯片、封装、测试代工厂保持密切的合作，保证产品的品质可靠和稳定供货。

江智科技的产品以技术和市场的需要为导向，在中低压MOS、超高压产品市场中占有很大的份额，同时注重多元化发展投入，逐步介入并渗透到模拟器件领域。本次充电头网为各位盘点一下江智科技 MOSFET 在快充市场的应用案例。

JST100N30D5G

江智科技推出的 JST100N30D5G 是一款 N沟道 MOS，耐压 30V。在栅源极电压 VGS 为 10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 2.8mΩ（典型值 1.9mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 4.6mΩ（典型值 3.3mΩ），通过 100% UIS 测试。

江智科技 JST100N30D5G 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 在 25℃ 下为 100A，在 100℃ 下为 63A；脉冲漏极电流最高 400A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 25mJ；容许沟道总功耗 PD 为 42W；热阻 RθJC 为 3℃/W。

江智科技 JST100N30D5G 采用 PDFN5*6-8L 封装，工作温度 -55℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。

应用案例：

1、拆解报告：德鲁西20000mAh 100W双向快充移动电源

JST80N30D3A

江智科技推出的 JST80N30D3A 是一款 N沟道 MOS，耐压 30V。在栅源极电压 VGS 为 10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 5mΩ（典型值 3.5mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 7.5mΩ（典型值 6.7mΩ）。

江智科技 JST80N30D3A 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 为 55A；脉冲漏极电流最高 220A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 35mJ；容许沟道总功耗 PD 为 85W；热阻 RθJC 为 3.5℃/W。

江智科技 JST80N30D3A 采用 PDFN3.3x3.3-8L 封装，工作温度 -55℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。

应用案例：

1、拆解报告：GADMEI 100W 2C1A双向快充移动电源

JST60N30D5G

江智科技推出的 JST60N30D5G 是一款 N沟道 MOS，耐压 30V。在栅源极电压 VGS 为 10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 7.5mΩ（典型值 5.2mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 10.2mΩ（典型值 7.5mΩ），通过 100% UIS 测试。

江智科技 JST60N30D5G 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 在 25℃ 下为 60A，在 100℃ 下为 38.5A；脉冲漏极电流最高 240A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 64mJ；容许沟道总功耗 PD 为 41W；热阻 RθJC 为 3℃/W。

江智科技 JST60N30D5G 采用 PDFN5*6-8L 封装，工作温度 -50℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。

应用案例：

1、拆解报告：德鲁西20000mAh 100W双向快充移动电源

JST60N30D3G

江智科技推出的 JST60N30D3G 是一款 N沟道 MOS，耐压 30V。在栅源极电压 VGS 为 10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 6mΩ（典型值 4.8mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 12mΩ（典型值 7.1mΩ），通过 100% UIS 测试。