韩国政府大力发展第三代半导体

近年来，据充电头网从业内获悉，韩国政府正在积极布局第三代半导体产业，包括三星、LG、SK海力士、现代、东部高科、美格纳半导体等多家世界级企业都参与了进来。韩国此举是想持续提升本国的核心竞争力，在未来的产业竞争中赢得先机。

第一二次的半导体革命都是以硅 Si 材料为基础的各种电力电子器件，随着硅 Si 材料电力电子器件逐渐接近其理论极限值，利用宽禁带半导体材料制造的电力电子器件，如氮化镓、碳化硅等材料，显示出比传统功率器件更优异的特性，给电力电子产业的发展带来了新的生机。

相对于硅（Si）材料，使用第三代宽禁带半导体材料制造新一代的电力电子器件，可以变得更小、更快和更高效。这将减少电力电子元件的质量、体积以及生命周期成本，允许设备在更高的温度、电压和频率下工作，使得电子电子器件使用更少的能量却可以实现更高的性能。

韩国政府所提的第三代半导体就是以氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料，其中碳化硅、氮化镓用于半导体器件中时，具备耐高温、高开关频率、低导通电阻、高效率、化学性质稳定等优异特性，不过受限于制造工艺、应用成本等因素的限制，多年以来氮化镓仅实现小范围应用。

近年来，随着材料生长、器件制备等技术的不断突破，第三代半导体的性价比优势逐渐显现，并正在打开应用市场。自从2018年开始，氮化镓在消费类快充电源领域的应用就已经进入了快车道。未来五年，基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于激光雷达、5G通信、新能源汽车、特高压、人工智能、数据中心等场景。从这里可以看出，第三代半导体市场是一片新的蓝海。

据韩国产业通商资源部发布的2021年产业计划发展规划获悉，2017-2020年，在半导体领域中，韩国的存储器、NAND等产品连续4年市占率排名世界第一位。

但该国的半导体产业主要是在存储等芯片，在新的半导体市场竞争之下，韩国半导体产业正在试图减轻对存储产品的依赖，向其他领域进行进军，以扩大其在半导体领域的影响力。为了积极应对第三代半导体的市场竞争，以及扩大新的经济增长点，近年来韩国政府制定了详细的半导体产业规划。

2017年，韩国产业通商资源部宣布，为了强化系统半导体的竞争力，产业、政府、学界三方联手投资4645亿韩元（约合4.15亿美元），开发低能源、超轻量和超高速的第三代半导体芯片。

其中1326亿韩元（约合1.12亿美元）用于开发先进超轻量传感器、837亿韩元（约合7100万美元）投入低耗能的SiC功率半导体，47亿韩元（约合399万美元）投资超高速存储器和系统整合设计技术。

2019年7月，韩国政府宣布，为支援半导体材料、以及设备的国产化，每年将提供1兆韩元（约合8.5亿美元）的预算。

2021年，韩国政府对第三代半导体的发展越来越重视，仅是这三年便实施了多项举措，特别是在汽车半导体、5G领域。4月，该国政府召开会议，发表了“下一代功率半导体技术开发及产能扩充方案”，宣布将正式培育第三代功率半导体技术，到2025年开发5种以上的商业化产品，并在国内建设6~8英寸代工厂。

5月，该国政府再次宣布启动“X-band GaN半导体集成电路”国产化课题。韩国无线通信设备半导体企业 RFHIC 艾尔福被选定为课题牵头企业，SK Siltron将参与SiC基板和GaN树脂的制作，LIG nex1负责系统的验证，ETRI 韩国电子通信研究院的半导体工厂将被用来进行GaN MMIC的制作。以上就是韩国政府为了大力发展第三代半导体所推出的国家政策规划。

近年来，第三代半导体成为新兴产业的宠儿。越来越多的国家都认识到了第三代半导体的重要性，而韩国就是其中之一。除了韩国政府外，韩国的三星、LG、海力士、现代等大财团也都是动作频频，大力布局第三代半导体。

曾经的韩国通过在存储领域的血拼，为其半导体产业的发展打下了基础。以三星、SK海力士等为代表的韩国半导体厂商在此期间成长了起来，并在全球半导体产业链中扮演着重要的角色。

而随着5G、人工智能时代的来临，在新的应用场景的推动下，全球半导体格局面临着可能会发生变化的情况。相信，过不了多久，第三代半导体将会在韩国开花结果。